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低壓MOS管作為一種新型的功率器件，具有開關速度快，內阻低損耗小等優點，但是如果使用不當也容易損 壞。低壓MOS管損壞的原因主要有過壓，過流，短路，靜電，過熱，機械損壞等。
一．過壓 低壓MOS管的過壓主要分為柵源及過壓和漏源及過壓。
1. 柵源及及過壓 低壓MOS管 的柵源及之間允許的電壓（VGSS）都有一個限制，業界的一般是±12V(低壓 MOS)~±20V(中 壓大電流 MOS/高壓 MOS),華之美半導體大部分低壓MOS管的柵源及耐壓是±12V~±30V,意味著 低壓MOS管 的柵源及之間超過這個電壓，MOSFET 就有可能擊穿損壞。為了防止柵源及過壓，我們可以采取如下措施：
1）.采用 5-12V 穩定的電壓給低壓MOS管驅動芯片供電；
2）.對于無法采用 5V-12V 穩定的電壓給低壓MOS管驅動芯片供電的情況下需要在柵源及之間并聯 5V-12 V 的穩壓管。
2. 漏源及過壓低壓MOS管的漏源及之間允許的電壓（BVDSS）都有一個限制，意味著低壓MOS管的漏源及之間超過這個電 壓，低壓MOS管就有可能擊穿損壞。因此在選型的時候我們需要根據電路的電壓輸入范圍和拓撲結構來選擇 低壓MOS管并留有余量。當然，由于分布參數和變壓器漏感的影響，在 低壓MOS管的某個工作瞬間往 往會瞬間過壓，雖然低壓MOS管具有抗擊這種瞬間過壓不被損壞的能力，但也不能超過的限度，為了電 路的安全，我們還是要做好保護措，一般以下幾 3 種：
1）.采用瞬態二及管的撿峰抑制電路：
2）.采用 RC 吸收回路：
3）.采用 RCD 吸收回路：
二．過流低壓MOS管能承受的的電流和芯片，時間，結溫和電流都有關系，例如華之美半導體的 HM3207,芯片在 2 5 度時允許通過的電流為 ID=210A, 在 100 度許通過的電流為 ID=150A,但是這個只是芯片能承受的電 流，當然還受封裝的限制，對于 TO-220 封裝來說，只允許通過 75A 的電流。如果是瞬間呢，在 25 度時， 在 300 微秒（沒有超過安全區域）的脈沖寬度可以通過 840A 的 IDP(峰值電流)。 在設計選型時我們要根據的上述電流參數選擇合適的低壓MOS管并留有余量，低壓MOS管過流一般都 是由于過流后引起結溫過高而損壞，或者是超過了安全區域導致耗散功率過大損壞。 常規的過流保護電路有： 1）.采用源及串聯電流取樣電阻的過流保護電路:由圖中可以看出，U1 的電流比較基準是 1V,只要 R3 兩 端的壓降超過了 1V,U1 就關斷 PWM 停止輸出，從而保護了低壓MOS管.
2）.采用電流互感器取樣的過流保護電路:互感器取樣的特點是能過很大的電流而損耗小，但體積比較大。
三．短路 短路也可以理解為嚴重的過流，以華之美半導體的 HM3207 為例，我們來看下低壓MOS管的 安全區域： 從曲線上可以看出，當 VDS=13V 時，300A 的電流只有 1MS 的時間耐量。還有規格書上標明了 300US 的耐電流是 840A,這些都是我們設計短路保護的重要依據。比如我們設計一個 24V 的系統采用的就是單 顆這個型號的低壓MOS管，經過計算和測量低壓MOS管回路（包含供電電源的內阻）是 20 mΩ，如果不限 制短路電流的話，那么短路電流將達到 24/20 mΩ=1200A,這個電流有可能使低壓MOS管在很短的時間內 燒毀。所以我們需要快速地檢測低壓MOS管的電流比如達到 300A,快速（幾十到幾百微妙）地關斷它。從 而保護了低壓MOS管的安全。 一種典型的過流短路保護電路如下圖：
四. 靜電低壓MOS管由于輸入阻抗及高，屬于容性負載，因而對靜電非常敏感，當輸入電容感應靜電 到電壓時就有可能損壞。 防靜電的一般措施有：
1）.包裝,采用防靜電袋，管腳套短路環；
2）.儲存環境的濕度控制，保持相對比較高的濕度可以防靜電；
3）.接地,接觸低壓MOS管的設備都要有妥善的接地措施；
4）.電路加入防靜電措施，如柵及并聯穩壓管；
5）.操作人員的防靜電，如穿防靜電服，帶靜電環等。
五. 過熱 當低壓MOS管超過允許的結溫時很容易縮短使用壽命，甚至很快燒毀，所以在選型時需要預留值比較大， 并設計過熱保護電路。 一般的過熱保護電路由熱敏電阻做溫度檢測，如 PTC,超過溫度，PTC 的電阻會上升很多，如果在 P TC 上通過一個電流，其兩端的電壓也會上升很多，我們可以用比較器設定一個基準電平，超過這個基準電 平，比較器就會發出一個高或地電平關斷 低壓MOS管,這就是典型的溫度保護的原理，其典型的電路如下：
六． 機械損壞 由于芯片和管殼的彈性系數不同，雖然在管殼螺絲孔和芯片之間加了機械應力緩沖措施，當它們封裝成一 個整體后，還是不能超過的機械應力，比如對于 TO-220 封裝在打螺絲時，（電動）螺絲刀的扭力不 應超過 6KG.
