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        以美國能效要求為例，要求49W以下空載功耗為0.1W，大于49W空載功耗為0.21W；歐盟49W以下為75mW，大于49W為150mW。在設計電源時，相對于75mW的空載功耗，必須要精打細算到每個細節上。 以下幾點為顯在的固定消耗點： 
        1，Vcc啟動回路 
        2，X電容放電回路 
        3，IC Vcc供電回路 
        4，電壓（電流）檢測環路 
        5，假負載首先，新出的IC大多具有HV啟動關斷功能，啟動后關閉啟動電阻回路，避免此回路損耗。當然，這屬于IC原有功能，不在本貼的主旨中，這里一帶過，同時后面的一些延伸也會用到此引腳，順帶一說。如下： 

 當沒有HV啟動功能的芯片時，Vcc只能盡量大啟動電阻，大的啟動電阻又需要較快的啟動時間時，可以這樣做,Vcc兩級DC接法,C16用于啟動儲能，C14用于輔助供電儲能,使啟動時較大R的情況下C能更快充到IC啟動閾值： 

X電容放電 

        IEC60950要求1S內電壓下降到37% 

        IEC60065要求2S內電壓下降到35V以下 

        例， 

        按第1條，X電容放電時間常數RC需小于1， 

        設X電容為0.33uF,Rx*Cx<1,那么Rx<3MΩ，由于電容量存在20%誤差，那么此電阻選值留足裕量，那應在Rx*0.7內，約2MΩ。 

        電阻損耗， 

        PR=U2/R，設ACmax=264V 

        PR=2642/2M 

        PR=34.8mW 

        CoC要求49W以下75mW待機或DoE要求49W以下100mW待機，不管那個標準，這部份的損耗都顯得巨大。怎么辦，使用更小的X電容（當0.1uF以下，可以不使用放電電阻），或想辦法讓這個R更靈活一點，如下：

1，在斷電后，利用IC的HV腳對Cx進行放電

2，沒有HV啟動腳，將啟動電阻接到X電容放電電阻中點，斷電后，利用IC的Vcc腳幫助放電，可減小X電容兩端電阻的放電功率：
 

3，把EMC元件后移動，AC端不放X電容：

 

       Vcc供電 

 盡量小的Vcc限流電阻，減小損耗。一般擁有較寬的Vcc的芯片，只要Vcc電壓在要求范圍內，供電可不用限流電阻，

較小的電壓標測環流，如圖流經R11、R16的靜態電流。
圖中兩電阻75K+7.5K，回路靜態電流約U/R=0.3mA, I²R約7.5mW。
如設為47K+4.7K，則U/R=0.49mA, I²R約12.5mW。
所以在環路允許的情況下，建議選取較大值。
 假負載 
一般為了穩定環路在輸出預加一定的假負載，在目前6級能效來說，幾乎不能接受，假設一個5V1A的電源預加1KR電阻假負載，實際消耗P=U²/R，實際上消耗25mW的功耗，已占COC待機要求的1/3。 
所以要穩定，設整合適的環路才是正道。

待機小結：
1，從功耗上來說，極大一部份來自于高壓啟動回路，可以從芯片功能選擇，啟動取電的設計，儲能與Vcc的區分來實現較低的消耗。
2，線路中所有元件均存在消耗，所以，對各部份具體核算功耗，再盡可能降低。
3，選用具有突發模式的IC，待機處于突發模式，損耗降低明顯。

二、效率
涉及效率，幾乎包含了電源的整個系統設計，從整流到變壓器轉換，再到整流DC輸出所有有電流過的地方都涉及損耗，包括EMI的抑制。要提升效率就是提升整個系統設計的合理性和平衡。不再大范圍講解，主要講述一些重點和我們容易忽略的一些細節。

橋堆
橋堆的損耗是否有注意到，如下同是KBL06，有不同的Vf： 
下面為ST品牌，同參數下Vf要低0.1V        

       
 Pdiode=Vf*Iavg input curretn        常被忽略的參數，其實一直在侵食我們的效率。輸出整流二極管

        輸出整流D5選用更低Vf的二極管，CCM下需要更快的Trr，如肖特基。
        Vf直接影響損耗及發熱
        較低的Vf會有小的Pd=Vf*Iout
        如下，同品牌在同等條件下參數對比：
        MBRB20100CT   Vf：0.95V
        MBR20H100CT   Vf：0.88V
        損耗差Pd=（0.95-0.88）*Iout
        當然實際使用電流下的Vf并不一定為上面標稱值，但兩者的差別對比，在設計效率上應盡量用更低Vf整流二極管。

變壓器
對變壓器的幾點要求：
1，盡量低的漏感，可降低損耗,設漏感為Lkp
Plk=(1/2*Lkp*Ipk^2)*F
在確定的F情況下，較低的Ipk和Lkp可得到較低的漏感損耗
改善方法：
增加耦合面，用三明治或五明治繞線
副邊較粗的線從Bobbin兩端出線，不要橫跨線包到Pin腳，減少后面繞組的間隙，降低漏感
2，銅損、鐵損
平衡兩方損耗，監測兩方面的溫升，調整線匝及氣隙，使溫升平均
盡量繞滿繞線窗，最大利用變壓器功率密度

合理的EMI
一般60W及以下產品設計合理的情況下，初級一個大感量共模，次級一個小共?？蓾M足一般IT類同等的EMI要求

從效率和EMI考慮上，變壓器線包內屏蔽建議用2個銅箔分隔三明治中的初次級，如再增加屏蔽效用不高
合理處理MOS及二極管上的高頻噪聲，一般串磁珠是較高效低成本的應用
初級大電解并瓷片電容，對噪聲有很好濾除作用

PCB Layout

于效率上的影響，PCB上大的環路線路要短，線寬，盡量小的環流面積。
特別次級DC側，電流要比初級大得多，線寬要控制好。35um 2mm寬1A電流走線(露銅上錫寬度減半)，達不到的地方用露銅上錫加粗或在板面上加跳線增大電流。

針對六級能效，目前新IC推出很多特色功能來提升待機和能效，能滿足我們應用的IC非常多，基本有幾個特點：
待機方面
1，低啟動電流，目前uA級的6Pin?；蚓逪V獨立啟動的8Pin
2，輕載突發模式
效率方面
1，頻率反走
2，低壓升頻（變壓器可用較少規格）